Name: Chip giroscópico MEMS digital KSGYR111M-S ±400°/s SPI I2C
Brand: Xi'an Kacise Optronics Co.,Ltd.
SKU: KSGYR111M-S
Price: 431.00 USD
Availability: InStock

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Chip giroscópico MEMS digital KSGYR111M-S ±400°/s SPI I2C

Chip giroscópico MEMS digital SPI I2C

Sensor giroscópico MEMS ±400°/s

Chip giroscópico para medidor de nivel de fluido

Place of Origin:

CHINA

Nombre de la marca:

KACISE

Certificación:

Model Number:

KSGYR111M-S

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Chip giroscópico MEMS digital KSGYR111M-S ±400°/s SPI I2C

Detalles del producto

Supply voltage VDDM:

+2.7V~+3.6V

Bias ZRL:

±1°/s (0 LSB Typ)

Rate range I:

±400°/s

Non-linearity NI:

±0.5%FS

Cross-axis sensitivity CS:

±5%

Resaltar:

Chip giroscópico MEMS digital SPI I2C

Sensor giroscópico MEMS ±400°/s

Chip giroscópico para medidor de nivel de fluido

Condiciones de pago y envío

Minimum Order Quantity

1PCS

Packaging Details

each unit has individual box and all boxes are packed in standard packages or customers requests available

Delivery Time

5-8work days

Supply Ability

1000 Piece/Pieces per Week negotiable

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Descripción del producto

Chip giroscópico MEMS de cuarzo digital KSGYR111M-S

Atributos clave

Atributo	Valor
Tensión de alimentación VDDM	+2,7 V~+3,6 V
Polarización ZRL	±1°/s (0 LSB típ.)
Rango de velocidad I	±400°/s
No linealidad NI	±0,5%FS
Sensibilidad de eje cruzado CS	±5%

Descripción general del producto

El chip giroscópico MEMS de cuarzo digital KSGYR111M-S presenta una estabilidad de salida de polarización superior y bajo ruido. Este giroscopio de cuarzo digital se basa en la tecnología MEMS de cuarzo y se fabrica utilizando técnicas de procesamiento de semiconductores.

Características principales

Excelente coeficiente de temperatura de polarización 0,0016 (°/s)/°C típ.
Paseo aleatorio de ángulo bajo 0,065 °/√h típ.
Filtro digital y frecuencia de desafinación seleccionables por el usuario integrados
Interfaz serie SPI o I2C
Salida de velocidad angular (resolución de 16 bits o 24 bits)
Temperatura de funcionamiento -20°C a +80°C
Sensor de temperatura integrado
Bajo consumo de corriente 900 μA típ.

Aplicaciones

Control antivibración y de actitud para aplicaciones industriales
Detección de movimiento para la interfaz hombre-máquina
Dispositivos portátiles
Equipos médicos de detección de movimiento
Estabilización óptica, fotográfica y de plataforma
Instrumentos de medición inercial

Especificaciones técnicas

Parámetros de la fuente de alimentación
Tensión de alimentación VDDM	+2,7 V~+3,6 V
Tensión de alimentación para la interfaz VDDI	+1,65 V~+3,6 V
Rendimiento del producto
Factor de escala So	70 LSB/(°/s) ±2%	16 bits, Ta=+25℃
	17920 LSB/(°/s) ±2%	24 bits, Ta=+25℃
Variación del factor de escala con la temperatura Spt	±3%	VDDM=3V, Ta=+25℃ referencia
Polarización ZRL	±1°/s (0 LSB típ.)	Ta=+25℃
Variación de polarización con la temperatura A ZRLta	±0,25°/h	-10℃~+50℃, Ta=+25℃ referencia
Variación de polarización con la temperatura B ZRLtb	±1°/h	-20℃~+80℃, Ta=+25℃ referencia
Coeficiente de temperatura de polarización ZRLs	0,0016(°/s)/℃ (típ.)	VDDM = 3V, Promedio del valor absoluto, ΔT=1℃
Rango de velocidad I	±400°/s
No linealidad NI	±0,5%FS	Ta=+25℃
Sensibilidad de eje cruzado CS	±5%	Ta=+25℃
Consumo de corriente Iop1	900μA típ.
Corriente de reposo Iop3	3μA típ.
Densidad de ruido Nd	0,0015 (°/s)/√Hz	@ 10Hz, configuración predeterminada LPF
Paseo aleatorio de ángulo N	0,065 °/√h
Especificaciones ambientales
Temperatura de funcionamiento TOPR	-20℃～+80℃
Temperatura de almacenamiento TSTG	-40℃～+85℃

Dimensiones

Unidad: mm

Las etiquetas：

Chip giroscópico MEMS digital KSGYR111M-S ±400°/s SPI I2C

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